STL17N65M5

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Especificaciones

Número de pieza

STL17N65M5
Fabricante / Marca

STMicroelectronics
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 650V 1.8A POWERFLAT
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

STL17N65M5.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±25V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PowerFlat™ (8x8) HV
Serie

MDmesh™ V
RDS (Max) @Id, Vgs

374 mOhm @ 5.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)

2.8W (Ta), 70W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-PowerVDFN
Otros nombres

497-15145-2
STL17N65M5-ND
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

42 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

816pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

22nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

650V
Descripción detallada

N-Channel 650V 1.8A (Ta), 10A (Tc) 2.8W (Ta), 70W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (8x8) HV
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

1.8A (Ta), 10A (Tc)

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Descripción: N-CHANNEL 600 V, 0.28 OHM TYP.,

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