STL19N60DM2

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Especificaciones

Número de pieza

STL19N60DM2
Fabricante / Marca

STMicroelectronics
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

N-CHANNEL 600 V, 0.28 OHM TYP.,
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

STL19N60DM2.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±25V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PowerFlat™ (8x8) HV
Serie

MDmesh™ DM2
RDS (Max) @Id, Vgs

320 mOhm @ 5.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)

90W (Tc)
embalaje

Original-Reel®
Paquete / Cubierta

8-PowerVDFN
Otros nombres

497-16361-6
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

3 (168 Hours)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

21nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

600V
Descripción detallada

N-Channel 600V 11A (Tc) 90W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (8x8) HV
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

11A (Tc)

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STL21N65M5

Descripción: MOSFET N-CH 650V 17A POWERFLAT88

Fabricantes: STMicroelectronics

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