STL18NM60N

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Especificaciones

Número de pieza

STL18NM60N
Fabricante / Marca

STMicroelectronics
Cantidad de stock

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Descripción

MOSFET N-CH 600V 6A POWERFLAT
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

STL18NM60N.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PowerFlat™ (8x8) HV
Serie

MDmesh™ II
RDS (Max) @Id, Vgs

310 mOhm @ 6A, 10V
La disipación de energía (máximo)

3W (Ta), 110W (Tc)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

8-PowerVDFN
Otros nombres

497-11847-1
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

3 (168 Hours)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

42 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1000pF @ 50V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

35nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

600V
Descripción detallada

N-Channel 600V 2.1A (Ta), 12A (Tc) 3W (Ta), 110W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (8x8) HV
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

2.1A (Ta), 12A (Tc)

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STL16N60M6

Descripción: NCHANNEL 600V M6 POWER MOSFET

Fabricantes: STMicroelectronics

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