CSD19534KCS

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Especificaciones

Número de pieza

CSD19534KCS
Fabricante / Marca

Luminary Micro/Texas Instruments
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Descripción

MOSFET N-CH 100V 100A TO220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

3.4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-220-3
Serie

NexFET™
RDS (Max) @Id, Vgs

16.5 mOhm @ 30A, 10V
La disipación de energía (máximo)

118W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-220-3
Otros nombres

296-38676-5
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1670pF @ 50V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

22.2nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

100V
Descripción detallada

N-Channel 100V 100A (Ta) 118W (Tc) Through Hole TO-220-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

100A (Ta)

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CSD19532KTT

Descripción: MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK-3

Fabricantes: Texas Instruments

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