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Especificaciones

Número de pieza

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Fabricante / Marca

Luminary Micro/Texas Instruments
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Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 100V 50 8SON
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / Cumple con RoHS
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

3.4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

8-VSONP (5x6)
Serie

NexFET™
RDS (Max) @Id, Vgs

15.1 mOhm @ 10A, 10V
La disipación de energía (máximo)

3.2W (Ta), 63W (Tc)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

8-PowerTDFN
Otros nombres

296-37838-1
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

35 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1680pF @ 50V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

22nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

100V
Descripción detallada

N-Channel 100V 50A (Ta) 3.2W (Ta), 63W (Tc) Surface Mount 8-VSONP (5x6)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

50A (Ta)

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Los siguientes son productos relacionados con "CSD19534Q5AT".

VSIB2560-E3/45

Descripción: DIODE 25A 600V SGL BRIDGE 4SIP

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

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20/05/2025

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