CSD19536KTTT

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Especificaciones

Número de pieza

CSD19536KTTT
Fabricante / Marca

Luminary Micro/Texas Instruments
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 100V 200A TO263
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / Cumple con RoHS
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

3.2V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

DDPAK/TO-263-3
Serie

NexFET™
RDS (Max) @Id, Vgs

2.4 mOhm @ 100A, 10V
La disipación de energía (máximo)

375W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
Otros nombres

296-41136-2
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

2 (1 Year)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

35 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

12000pF @ 50V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

153nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

100V
Descripción detallada

N-Channel 100V 200A (Ta) 375W (Tc) Surface Mount DDPAK/TO-263-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

200A (Ta)

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CSD19535KCS

Descripción: MOSFET N-CH 100V TO-220

Fabricantes: Luminary Micro / Texas Instruments

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