CSD19531KCS

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Especificaciones

Número de pieza

CSD19531KCS
Fabricante / Marca

Luminary Micro/Texas Instruments
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

3.3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-220-3
Serie

NexFET™
RDS (Max) @Id, Vgs

7.7 mOhm @ 60A, 10V
La disipación de energía (máximo)

214W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-220-3
Otros nombres

296-37480-5
CSD19531KCS-ND
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

3870pF @ 50V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

38nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

100V
Descripción detallada

N-Channel 100V 100A (Ta) 214W (Tc) Through Hole TO-220-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

100A (Ta)

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Apoyamos múltiples métodos de pago, incluidas tarjetas de crédito, transferencias bancarias y otras opciones, y aceptamos la mayoría de las monedas.Para los pedidos realizados en USD, hay opciones de pago adicionales disponibles.Para obtener más detalles sobre métodos y procedimientos de pago, comuníquese con nuestro equipo de ventas.

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CSD19505KTTT

Descripción: MOSFET N-CH 80V 200A DDPAK-3

Fabricantes: Luminary Micro / Texas Instruments

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