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Especificaciones

Número de pieza

CSD19532KTT
Fabricante / Marca

Luminary Micro/Texas Instruments
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / Cumple con RoHS
Modelo ECAD
Voltaje - Prueba

5060pF @ 50V
Tensión - Desglose

DDPAK/TO-263-3
VGS (th) (Max) @Id

5.6 mOhm @ 90A, 10V
Vgs (Max)

6V, 10V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Serie

NexFET™
Estado RoHS

Cut Tape (CT)
RDS (Max) @Id, Vgs

200A (Ta)
Polarización

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Otros nombres

296-44970-1
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)

2 (1 Year)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

13 Weeks
Número de pieza del fabricante

CSD19532KTT
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

57nC @ 10V
Tipo de IGBT

±20V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

3.2V @ 250µA
Característica de FET

N-Channel
Descripción ampliada

N-Channel 100V 200A (Ta) 250W (Tc) Surface Mount DDPAK/TO-263-3
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

-
Descripción

MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

100V
relación de capacidades

250W (Tc)

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Los siguientes son productos relacionados con "CSD19532KTT".

CSD19506KTTT

Descripción: IC MOSFET N-CH 80V TO-220

Fabricantes: Luminary Micro / Texas Instruments

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