CSD19506KCS

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Especificaciones

Número de pieza

CSD19506KCS
Fabricante / Marca

Luminary Micro/Texas Instruments
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 80V TO-220-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Solicitar verificación de inventario / Cumple con RoHS
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

3.2V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-220-3
Serie

NexFET™
RDS (Max) @Id, Vgs

2.3 mOhm @ 100A, 10V
La disipación de energía (máximo)

375W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-220-3
Otros nombres

296-37169-5
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

35 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Request inventory verification / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

12200pF @ 40V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

156nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

80V
Descripción detallada

N-Channel 80V 100A (Ta) 375W (Tc) Through Hole TO-220-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

100A (Ta)

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Apoyamos múltiples métodos de pago, incluidas tarjetas de crédito, transferencias bancarias y otras opciones, y aceptamos la mayoría de las monedas.Para los pedidos realizados en USD, hay opciones de pago adicionales disponibles.Para obtener más detalles sobre métodos y procedimientos de pago, comuníquese con nuestro equipo de ventas.

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Descripción:

Fabricantes: Luminary Micro / Texas Instruments

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