SCT2750NYTB

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Especificaciones

Número de pieza

SCT2750NYTB
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

1700V .75 OHM 6A SIC FET
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.SCT2750NYTB.pdf
2.SCT2750NYTB.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 630µA
Vgs (Max)

+22V, -6V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-268
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

975 mOhm @ 1.7A, 18V
La disipación de energía (máximo)

57W (Tc)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Otros nombres

SCT2750NYTBCT
Temperatura de funcionamiento

175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

275pF @ 800V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

17nC @ 18V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

18V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

1700V
Descripción detallada

N-Channel 1700V 5.9A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount TO-268
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

5.9A (Tc)

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Descripción:

Fabricantes: LAPIS Semiconductor

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