SCT3030ALGC11

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Especificaciones

Número de pieza

SCT3030ALGC11
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.SCT3030ALGC11.pdf
2.SCT3030ALGC11.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

5.6V @ 13.3mA
Vgs (Max)

+22V, -4V
Tecnología

SiCFET (Silicon Carbide)
Paquete del dispositivo

TO-247N
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

39 mOhm @ 27A, 18V
La disipación de energía (máximo)

262W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-247-3
Temperatura de funcionamiento

175°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1526pF @ 500V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

104nC @ 18V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

18V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

650V
Descripción detallada

N-Channel 650V 70A (Tc) 262W (Tc) Through Hole TO-247N
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

70A (Tc)

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SCT2750NYTB

Descripción: 1700V .75 OHM 6A SIC FET

Fabricantes: LAPIS Semiconductor

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