SCT2160KEC

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Especificaciones

Número de pieza

SCT2160KEC
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 1200V 22A TO-247
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.SCT2160KEC.pdf
2.SCT2160KEC.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 2.5mA
Vgs (Max)

+22V, -6V
Tecnología

SiCFET (Silicon Carbide)
Paquete del dispositivo

TO-247
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

208 mOhm @ 7A, 18V
La disipación de energía (máximo)

165W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-247-3
Otros nombres

SCT2160KECU
Temperatura de funcionamiento

175°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1200pF @ 800V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

62nC @ 18V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

18V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

1200V
Descripción detallada

N-Channel 1200V 22A (Tc) 165W (Tc) Through Hole TO-247
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

22A (Tc)

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SCT3030ALGC11

Descripción:

Fabricantes: LAPIS Semiconductor

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