QS5U21TR

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Especificaciones

Número de pieza

QS5U21TR
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
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Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 20V 1.5A TSMT5
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.QS5U21TR.pdf
2.QS5U21TR.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2V @ 1mA
Vgs (Max)

±12V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TSMT5
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

200 mOhm @ 1.5A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

1.25W (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

325pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

4.2nC @ 4.5V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

Schottky Diode (Isolated)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

P-Channel 20V 1.5A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount TSMT5
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

1.5A (Ta)

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FQAF5N90

Descripción: MOSFET N-CH 900V 4.1A TO-3PF

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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