QS5U33TR

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Especificaciones

Número de pieza

QS5U33TR
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 30V 2A TSMT5
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.QS5U33TR.pdf
2.QS5U33TR.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.5V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TSMT5
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

135 mOhm @ 2A, 10V
La disipación de energía (máximo)

1.25W (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Otros nombres

QS5U33TRTR
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

310pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

3.4nC @ 5V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

Schottky Diode (Isolated)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

P-Channel 30V 2A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount TSMT5
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

2A (Ta)

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QS5W1TR

Descripción: TRANS 2NPN 30V 3A TSMT5

Fabricantes: LAPIS Semiconductor

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