QS5U34TR

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Especificaciones

Número de pieza

QS5U34TR
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 20V 1.5A TSMT5
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.QS5U34TR.pdf
2.QS5U34TR.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1.3V @ 1mA
Vgs (Max)

±10V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TSMT5
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

180 mOhm @ 1.5A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

900mW (Ta)
embalaje

Original-Reel®
Paquete / Cubierta

SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Otros nombres

QS5U34DKR
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

110pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

2.5nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

Schottky Diode (Isolated)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

N-Channel 20V 1.5A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount TSMT5
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

1.5A (Ta)

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Los siguientes son productos relacionados con "QS5U34TR".

QS5U16TR

Descripción: MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5

Fabricantes: LAPIS Semiconductor

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