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EPC2110ENGRT

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Especificaciones
  • Número de pieza
    EPC2110ENGRT
  • Fabricante / Marca
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    TRANS GAN 2N-CH 120V BUMPED DIE
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
  • Modelo ECAD
  • VGS (th) (Max) @Id
    2.5V @ 700µA
  • Paquete del dispositivo
    Die
  • Serie
    eGaN®
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    60 mOhm @ 4A, 5V
  • Potencia - Max
    -
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    Die
  • Otros nombres
    917-EPC2110ENGRTR
    EPC2110ENGR
  • Temperatura de funcionamiento
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    16 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    80pF @ 60V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    0.8nC @ 5V
  • Tipo FET
    2 N-Channel (Dual) Common Source
  • Característica de FET
    GaNFET (Gallium Nitride)
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    120V
  • Descripción detallada
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Source 120V 3.4A Surface Mount Die
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    3.4A
EPC2112ENGRT

EPC2112ENGRT

Descripción: 200 V GAN IC FET DRIVER

Fabricantes: EPC
Existencias disponibles
EPC2LC20

EPC2LC20

Descripción: IC CONFIG DEVICE 1.6MBIT 20PLCC

Fabricantes: Altera (Intel® Programmable Solutions Group)
Existencias disponibles
EPC2110

EPC2110

Descripción: MOSFET 2NCH 120V 3.4A DIE

Fabricantes: EPC
Existencias disponibles
EPC2115ENGRT

EPC2115ENGRT

Descripción: 150 V GAN IC DUAL FET DRIVER

Fabricantes: EPC
Existencias disponibles
EPC2815

EPC2815

Descripción: TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE

Fabricantes: EPC
Existencias disponibles
EPC2111

EPC2111

Descripción: TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID

Fabricantes: EPC
Existencias disponibles
EPC2801

EPC2801

Descripción: TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE

Fabricantes: EPC
Existencias disponibles
EPC2818

EPC2818

Descripción: TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE

Fabricantes: EPC
Existencias disponibles
EPC2105

EPC2105

Descripción: TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID

Fabricantes: EPC
Existencias disponibles
EPC2107

EPC2107

Descripción: MOSFET 3 N-CH 100V 9BGA

Fabricantes: EPC
Existencias disponibles
EPC2105ENG

EPC2105ENG

Descripción: TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE

Fabricantes: EPC
Existencias disponibles
EPC2107ENGRT

EPC2107ENGRT

Descripción: TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE

Fabricantes: EPC
Existencias disponibles
EPC2108

EPC2108

Descripción: MOSFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA

Fabricantes: EPC
Existencias disponibles
EPC2106

EPC2106

Descripción: TRANS GAN SYM 100V BUMPED DIE

Fabricantes: EPC
Existencias disponibles
EPC2106ENGRT

EPC2106ENGRT

Descripción: TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE

Fabricantes: EPC
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EPC2202

EPC2202

Descripción: GANFET N-CH 80V 18A DIE

Fabricantes: EPC
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EPC2111ENGRT

EPC2111ENGRT

Descripción: TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID

Fabricantes: EPC
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EPC2203

EPC2203

Descripción: GANFET N-CH 80V 1.7A 6SOLDER BAR

Fabricantes: EPC
Existencias disponibles
EPC2105ENGRT

EPC2105ENGRT

Descripción: MOSFET 2NCH 80V 9.5A DIE

Fabricantes: EPC
Existencias disponibles
EPC2108ENGRT

EPC2108ENGRT

Descripción: TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE

Fabricantes: EPC
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