EPC2106ENGRT

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Especificaciones

Número de pieza

EPC2106ENGRT
Fabricante / Marca

EPC
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

EPC2106ENGRT.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.5V @ 600µA
Paquete del dispositivo

Die
Serie

eGaN®
RDS (Max) @Id, Vgs

70 mOhm @ 2A, 5V
Potencia - Max

-
embalaje

Original-Reel®
Paquete / Cubierta

Die
Otros nombres

917-EPC2106ENGRDKR
Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

16 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

75pF @ 50V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

0.73nC @ 5V
Tipo FET

2 N-Channel (Half Bridge)
Característica de FET

GaNFET (Gallium Nitride)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

100V
Descripción detallada

Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 100V 1.7A Surface Mount Die
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

1.7A

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Envío
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Apoyamos múltiples métodos de pago, incluidas tarjetas de crédito, transferencias bancarias y otras opciones, y aceptamos la mayoría de las monedas.Para los pedidos realizados en USD, hay opciones de pago adicionales disponibles.Para obtener más detalles sobre métodos y procedimientos de pago, comuníquese con nuestro equipo de ventas.

Los siguientes son productos relacionados con "EPC2106ENGRT".

EPC2110

Descripción: MOSFET 2NCH 120V 3.4A DIE

Fabricantes: EPC

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