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EPC2105ENG

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Especificaciones
  • Número de pieza
    EPC2105ENG
  • Fabricante / Marca
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
  • Modelo ECAD
  • VGS (th) (Max) @Id
    2.5V @ 2.5mA
  • Paquete del dispositivo
    Die
  • Serie
    eGaN®
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    14.5 mOhm @ 20A, 5V
  • Potencia - Max
    -
  • embalaje
    Bulk
  • Paquete / Cubierta
    Die
  • Otros nombres
    EPC2105ENGR
    917-EPC2105ENG
    EPC2105ENGR
    EPC2105ENGRH4
  • Temperatura de funcionamiento
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    300pF @ 40V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    2.5nC @ 5V
  • Tipo FET
    2 N-Channel (Half Bridge)
  • Característica de FET
    GaNFET (Gallium Nitride)
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    80V
  • Descripción detallada
    Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 80V 9.5A, 38A Surface Mount Die
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    9.5A, 38A
EPC2102ENG

EPC2102ENG

Descripción: TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE

Fabricantes: EPC
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EPC2106ENGRT

EPC2106ENGRT

Descripción: TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE

Fabricantes: EPC
Existencias disponibles
EPC2103ENGRT

EPC2103ENGRT

Descripción: TRANS GAN SYM HALF BRDG 80V

Fabricantes: EPC
Existencias disponibles
EPC2110ENGRT

EPC2110ENGRT

Descripción: TRANS GAN 2N-CH 120V BUMPED DIE

Fabricantes: EPC
Existencias disponibles
EPC2102

EPC2102

Descripción: TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG

Fabricantes: EPC
Existencias disponibles
EPC2110

EPC2110

Descripción: MOSFET 2NCH 120V 3.4A DIE

Fabricantes: EPC
Existencias disponibles
EPC2103

EPC2103

Descripción: TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG

Fabricantes: EPC
Existencias disponibles
EPC2104

EPC2104

Descripción: TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG

Fabricantes: EPC
Existencias disponibles
EPC2102ENGRT

EPC2102ENGRT

Descripción: MOSFET 2 N-CHANNEL 60V 23A DIE

Fabricantes: EPC
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EPC2106

EPC2106

Descripción: TRANS GAN SYM 100V BUMPED DIE

Fabricantes: EPC
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EPC2108

EPC2108

Descripción: MOSFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA

Fabricantes: EPC
Existencias disponibles
EPC2104ENG

EPC2104ENG

Descripción: TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE

Fabricantes: EPC
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EPC2104ENGRT

EPC2104ENGRT

Descripción: MOSFET 2NCH 100V 23A DIE

Fabricantes: EPC
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EPC2111

EPC2111

Descripción: TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID

Fabricantes: EPC
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EPC2105ENGRT

EPC2105ENGRT

Descripción: MOSFET 2NCH 80V 9.5A DIE

Fabricantes: EPC
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EPC2107

EPC2107

Descripción: MOSFET 3 N-CH 100V 9BGA

Fabricantes: EPC
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EPC2108ENGRT

EPC2108ENGRT

Descripción: TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE

Fabricantes: EPC
Existencias disponibles
EPC2107ENGRT

EPC2107ENGRT

Descripción: TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE

Fabricantes: EPC
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EPC2105

EPC2105

Descripción: TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID

Fabricantes: EPC
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EPC2103ENG

EPC2103ENG

Descripción: TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE

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