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EPC2108ENGRT

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Especificaciones
  • Número de pieza
    EPC2108ENGRT
  • Fabricante / Marca
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
  • Modelo ECAD
  • VGS (th) (Max) @Id
    2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
  • Paquete del dispositivo
    9-BGA (1.35x1.35)
  • Serie
    eGaN®
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    190 mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3 Ohm @ 2.5A, 5V
  • Potencia - Max
    -
  • embalaje
    Original-Reel®
  • Paquete / Cubierta
    9-VFBGA
  • Otros nombres
    917-EPC2108ENGRDKR
  • Temperatura de funcionamiento
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    22pF @ 30V, 7pF @ 30V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
  • Tipo FET
    3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
  • Característica de FET
    GaNFET (Gallium Nitride)
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    60V, 100V
  • Descripción detallada
    Mosfet Array 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) 60V, 100V 1.7A, 500mA Surface Mount 9-BGA (1.35x1.35)
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    1.7A, 500mA
EPC2815

EPC2815

Descripción: TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE

Fabricantes: EPC
Existencias disponibles
EPC2107ENGRT

EPC2107ENGRT

Descripción: TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE

Fabricantes: EPC
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EPC2108

EPC2108

Descripción: MOSFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA

Fabricantes: EPC
Existencias disponibles
EPC2115ENGRT

EPC2115ENGRT

Descripción: 150 V GAN IC DUAL FET DRIVER

Fabricantes: EPC
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EPC2106

EPC2106

Descripción: TRANS GAN SYM 100V BUMPED DIE

Fabricantes: EPC
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EPC2105

EPC2105

Descripción: TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID

Fabricantes: EPC
Existencias disponibles
EPC2111ENGRT

EPC2111ENGRT

Descripción: TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID

Fabricantes: EPC
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EPC2110ENGRT

EPC2110ENGRT

Descripción: TRANS GAN 2N-CH 120V BUMPED DIE

Fabricantes: EPC
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EPC2105ENGRT

EPC2105ENGRT

Descripción: MOSFET 2NCH 80V 9.5A DIE

Fabricantes: EPC
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EPC2801

EPC2801

Descripción: TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE

Fabricantes: EPC
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EPC2203

EPC2203

Descripción: GANFET N-CH 80V 1.7A 6SOLDER BAR

Fabricantes: EPC
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EPC2202

EPC2202

Descripción: GANFET N-CH 80V 18A DIE

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EPC2111

EPC2111

Descripción: TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID

Fabricantes: EPC
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EPC2106ENGRT

EPC2106ENGRT

Descripción: TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE

Fabricantes: EPC
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EPC2104ENG

EPC2104ENG

Descripción: TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE

Fabricantes: EPC
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EPC2112ENGRT

EPC2112ENGRT

Descripción: 200 V GAN IC FET DRIVER

Fabricantes: EPC
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EPC2110

EPC2110

Descripción: MOSFET 2NCH 120V 3.4A DIE

Fabricantes: EPC
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EPC2105ENG

EPC2105ENG

Descripción: TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE

Fabricantes: EPC
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EPC2107

EPC2107

Descripción: MOSFET 3 N-CH 100V 9BGA

Fabricantes: EPC
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EPC2104ENGRT

EPC2104ENGRT

Descripción: MOSFET 2NCH 100V 23A DIE

Fabricantes: EPC
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