EPC2202

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Especificaciones

Número de pieza

EPC2202
Fabricante / Marca

EPC
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

GANFET N-CH 80V 18A DIE
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

EPC2202.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.5V @ 3mA
Vgs (Max)

+5.75V, -4V
Tecnología

GaNFET (Gallium Nitride)
Paquete del dispositivo

Die Outline (6-Solder Bar)
Serie

Automotive, AEC-Q101, eGaN®
RDS (Max) @Id, Vgs

17 mOhm @ 11A, 5V
La disipación de energía (máximo)

-
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

Die
Otros nombres

917-1199-1
Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

14 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

415pF @ 50V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

4nC @ 5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

80V
Descripción detallada

N-Channel 80V 18A Surface Mount Die Outline (6-Solder Bar)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

18A

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Apoyamos múltiples métodos de pago, incluidas tarjetas de crédito, transferencias bancarias y otras opciones, y aceptamos la mayoría de las monedas.Para los pedidos realizados en USD, hay opciones de pago adicionales disponibles.Para obtener más detalles sobre métodos y procedimientos de pago, comuníquese con nuestro equipo de ventas.

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EPC2112ENGRT

Descripción: 200 V GAN IC FET DRIVER

Fabricantes: EPC

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