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EPC2102ENGRT

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Especificaciones
  • Número de pieza
    EPC2102ENGRT
  • Fabricante / Marca
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET 2 N-CHANNEL 60V 23A DIE
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
  • Modelo ECAD
  • VGS (th) (Max) @Id
    2.5V @ 7mA
  • Paquete del dispositivo
    Die
  • Serie
    eGaN®
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    4.4 mOhm @ 20A, 5V
  • Potencia - Max
    -
  • embalaje
    Cut Tape (CT)
  • Paquete / Cubierta
    Die
  • Otros nombres
    917-EPC2102ENGRCT
  • Temperatura de funcionamiento
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    830pF @ 30V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    6.8nC @ 5V
  • Tipo FET
    2 N-Channel (Half Bridge)
  • Característica de FET
    GaNFET (Gallium Nitride)
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    60V
  • Descripción detallada
    Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 60V 23A (Tj) Surface Mount Die
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    23A (Tj)
EPC2101ENGRT

EPC2101ENGRT

Descripción: TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID

Fabricantes: EPC
Existencias disponibles
EPC2104ENG

EPC2104ENG

Descripción: TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE

Fabricantes: EPC
Existencias disponibles
EPC2103ENGRT

EPC2103ENGRT

Descripción: TRANS GAN SYM HALF BRDG 80V

Fabricantes: EPC
Existencias disponibles
EPC2106

EPC2106

Descripción: TRANS GAN SYM 100V BUMPED DIE

Fabricantes: EPC
Existencias disponibles
EPC2100

EPC2100

Descripción: TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID

Fabricantes: EPC
Existencias disponibles
EPC2100ENGRT

EPC2100ENGRT

Descripción: MOSFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE

Fabricantes: EPC
Existencias disponibles
EPC2050ENGRT

EPC2050ENGRT

Descripción: TRANS GAN 350V BUMPED DIE

Fabricantes: EPC
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EPC2105ENG

EPC2105ENG

Descripción: TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE

Fabricantes: EPC
Existencias disponibles
EPC2100ENG

EPC2100ENG

Descripción: TRANS GAN 2N-CH 30V BUMPED DIE

Fabricantes: EPC
Existencias disponibles
EPC2103

EPC2103

Descripción: TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG

Fabricantes: EPC
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EPC2101

EPC2101

Descripción: TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID

Fabricantes: EPC
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EPC2104ENGRT

EPC2104ENGRT

Descripción: MOSFET 2NCH 100V 23A DIE

Fabricantes: EPC
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EPC2102ENG

EPC2102ENG

Descripción: TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE

Fabricantes: EPC
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EPC2105ENGRT

EPC2105ENGRT

Descripción: MOSFET 2NCH 80V 9.5A DIE

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EPC2102

EPC2102

Descripción: TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG

Fabricantes: EPC
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EPC2105

EPC2105

Descripción: TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID

Fabricantes: EPC
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EPC2104

EPC2104

Descripción: TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG

Fabricantes: EPC
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EPC2051ENGRT

EPC2051ENGRT

Descripción: TRANS GAN 100V DIE CU PILLAR

Fabricantes: EPC
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EPC2101ENG

EPC2101ENG

Descripción: TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE

Fabricantes: EPC
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EPC2103ENG

EPC2103ENG

Descripción: TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE

Fabricantes: EPC
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