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6752521Imagen DMN60H4D5SK3-13Diodes Incorporated

DMN60H4D5SK3-13

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Especificaciones
  • Número de pieza
    DMN60H4D5SK3-13
  • Fabricante / Marca
    Diodes Incorporated
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH 600V 2.5A TO252
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Contiene plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    DMN60H4D5SK3-13.pdf
  • Modelo ECAD
  • VGS (th) (Max) @Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    TO-252, (D-Pak)
  • Serie
    -
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    4.5 Ohm @ 1A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    41W (Tc)
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    22 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    273.5pF @ 25V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    8.2nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    600V
  • Descripción detallada
    N-Channel 600V 2.5A (Tc) 41W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    2.5A (Tc)

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Descripción: MOSFET N-CH 60V SOT23

Fabricantes: Diodes Incorporated
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Descripción: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3

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Descripción: MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT23

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Descripción: MOSFET N-CH 600V 2.8A TO252

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