DMN60H080DS-13

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Especificaciones

Número de pieza

DMN60H080DS-13
Fabricante / Marca

Diodes Incorporated
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 600V 80MA SOT23
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

DMN60H080DS-13.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

SOT-23-3
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

100 Ohm @ 60mA, 10V
La disipación de energía (máximo)

1.1W (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Tiempo de entrega estándar del fabricante

20 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

25pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

1.7nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

600V
Descripción detallada

N-Channel 600V 80mA (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

80mA (Ta)

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DMN60H080DS-7

Descripción: MOSFET N-CH 600V 80MA SOT23

Fabricantes: Diodes Incorporated

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