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5004767Imagen DMN61D8LQ-7Diodes Incorporated

DMN61D8LQ-7

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Especificaciones
  • Número de pieza
    DMN61D8LQ-7
  • Fabricante / Marca
    Diodes Incorporated
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    DMN61D8LQ-7.pdf
  • Modelo ECAD
  • VGS (th) (Max) @Id
    2V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    SOT-23
  • Serie
    -
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    1.8 Ohm @ 150mA, 5V
  • La disipación de energía (máximo)
    390mW (Ta)
  • embalaje
    Cut Tape (CT)
  • Paquete / Cubierta
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Otros nombres
    DMN61D8LQ-7DICT
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    12 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    12.9pF @ 12V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    0.74nC @ 5V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    3V, 5V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    60V
  • Descripción detallada
    N-Channel 60V 470mA (Ta) 390mW (Ta) Surface Mount SOT-23
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    470mA (Ta)

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Descripción: MOSFET N-CH 60V 0.34A SOT323

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