SSM3J35CT,L3F

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Especificaciones

Número de pieza

SSM3J35CT,L3F
Fabricante / Marca

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CHANNEL 20V 100MA CST3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SSM3J35CT,L3F.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1V @ 1mA
Vgs (Max)

±10V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

CST3
Serie

π-MOSVI
RDS (Max) @Id, Vgs

8 Ohm @ 50mA, 4V
La disipación de energía (máximo)

100mW (Ta)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

SC-101, SOT-883
Otros nombres

SSM3J35CTL3FCT
Temperatura de funcionamiento

150°C
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

12.2pF @ 3V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

1.2V, 4V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

P-Channel 20V 100mA (Ta) 100mW (Ta) Surface Mount CST3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

100mA (Ta)

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SSM3J355R,LF

Descripción: SMALL LOW ON RESISTANCE MOSFET

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage

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