SSM3J334R,LF

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Especificaciones

Número de pieza

SSM3J334R,LF
Fabricante / Marca

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 30V 4A SOT23F
Estado Libre de plomo / Estado RoHS
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2V @ 100µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

SOT-23F
Serie

U-MOSVI
RDS (Max) @Id, Vgs

71mOhm @ 3A, 10V
Estado del producto

Active
La disipación de energía (máximo)

1W (Ta)
Paquete / Cubierta

SOT-23-3 Flat Leads
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

280 pF @ 15 V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

5.9 nC @ 10 V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30 V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

4A (Ta)

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Descripción: MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage

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