SSM3K01T(TE85L,F)

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Especificaciones

Número de pieza

SSM3K01T(TE85L,F)
Fabricante / Marca

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 30V 3.2A TSM
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SSM3K01T(TE85L,F).pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

-
Vgs (Max)

±10V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TSM
Serie

π-MOSVI
RDS (Max) @Id, Vgs

120 mOhm @ 1.6A, 4V
La disipación de energía (máximo)

1.25W (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Otros nombres

SSM3K01T (TE85L,F)
SSM3K01T(TE85LF)TR
SSM3K01TTE85LF
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

152pF @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

N-Channel 30V 3.2A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount TSM
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

3.2A (Ta)

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Descripción:

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage

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