TSM160P04LCRHRLG

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Especificaciones

Número de pieza

TSM160P04LCRHRLG
Fabricante / Marca

Taiwan Semiconductor
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 40V 51A 8PDFN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

TSM160P04LCRHRLG.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

8-PDFN (5x6)
Serie

Automotive, AEC-Q101
RDS (Max) @Id, Vgs

16 mOhm @ 10A, 10V
La disipación de energía (máximo)

69W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-PowerTDFN
Otros nombres

TSM160P04LCRHRLGTR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

3 (168 Hours)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

16 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2712pF @ 20V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

48nC @ 10V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

40V
Descripción detallada

P-Channel 40V 51A (Tc) 69W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (5x6)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

51A (Tc)

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Descripción: MOSFET P-CHANNEL 20V 11A 8SOP

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)

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