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TSM180N03CS RLG

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Especificaciones

Número de pieza

TSM180N03CS RLG
Fabricante / Marca

Taiwan Semiconductor
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CHANNEL 30V 9A 8SOP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

TSM180N03CS RLG.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

8-SOP
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

18 mOhm @ 8A, 10V
La disipación de energía (máximo)

2.5W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres

TSM180N03CS RLGTR
TSM180N03CS RLGTR-ND
TSM180N03CSRLGTR
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

3 (168 Hours)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

28 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

345pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

14nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

N-Channel 30V 9A (Tc) 2.5W (Tc) Surface Mount 8-SOP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

9A (Tc)

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Descripción: MOSFET N-CHANNEL 600V 1A TO251

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)

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