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TSM150P03PQ33 RGG

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Especificaciones

Número de pieza

TSM150P03PQ33 RGG
Fabricante / Marca

Taiwan Semiconductor
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 30V 36A 8PDFN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

TSM150P03PQ33 RGG.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

8-PDFN (3x3)
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

15 mOhm @ 10A, 10V
La disipación de energía (máximo)

27.8W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-PowerWDFN
Otros nombres

TSM150P03PQ33 RGGTR
TSM150P03PQ33 RGGTR-ND
TSM150P03PQ33RGGTR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

3 (168 Hours)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

32 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1829pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

29.3nC @ 10V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

P-Channel 30V 36A (Tc) 27.8W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (3x3)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

36A (Tc)

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TSM1285BESA+

Descripción: IC ADC 12BIT 300KSPS 8SOIC

Fabricantes: Energy Micro (Silicon Labs)

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