STP80N70F6

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Especificaciones

Número de pieza

STP80N70F6
Fabricante / Marca

STMicroelectronics
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Descripción

MOSFET N CH 68V 96A TO-220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-220
Serie

DeepGATE™, STripFET™ VI
RDS (Max) @Id, Vgs

8 mOhm @ 48A, 10V
La disipación de energía (máximo)

110W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-220-3
Otros nombres

497-13554-5
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

5850pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

99nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

68V
Descripción detallada

N-Channel 68V 96A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

96A (Tc)

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