STP80N6F6

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Especificaciones

Número de pieza

STP80N6F6
Fabricante / Marca

STMicroelectronics
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

STP80N6F6.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-220
Serie

Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VI
RDS (Max) @Id, Vgs

5.8 mOhm @ 50A, 10V
La disipación de energía (máximo)

120W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-220-3
Otros nombres

497-13976-5
STP80N6F6-ND
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

7480pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

122nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

60V
Descripción detallada

N-Channel 60V 110A (Tc) 120W (Tc) Through Hole TO-220
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

110A (Tc)

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STP80N70F6

Descripción: MOSFET N CH 68V 96A TO-220

Fabricantes: STMicroelectronics

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