STP80N20M5

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Especificaciones

Número de pieza

STP80N20M5
Fabricante / Marca

STMicroelectronics
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 200V 61A TO-220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

STP80N20M5.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±25V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-220AB
Serie

MDmesh™ V
RDS (Max) @Id, Vgs

23 mOhm @ 30.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)

190W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-220-3
Otros nombres

497-10715-5
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

4329pF @ 50V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

104nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

200V
Descripción detallada

N-Channel 200V 61A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-220AB
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

61A (Tc)

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Descripción: MOSFET N-CH 60V 80A TO-220

Fabricantes: STMicroelectronics

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