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STP80NF12

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Especificaciones

Número de pieza

STP80NF12
Fabricante / Marca

STMicroelectronics
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

STP80NF12.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-220AB
Serie

STripFET™ II
RDS (Max) @Id, Vgs

18 mOhm @ 40A, 10V
La disipación de energía (máximo)

300W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-220-3
Otros nombres

497-6743-5
STP80NF12-ND
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

38 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

4300pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

189nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

120V
Descripción detallada

N-Channel 120V 80A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-220AB
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

80A (Tc)

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Los siguientes son productos relacionados con "STP80NF12".

STP80NE06-10

Descripción: MOSFET N-CH 60V 80A TO-220

Fabricantes: STMicroelectronics

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