STH6N95K5-2

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Especificaciones

Número de pieza

STH6N95K5-2
Fabricante / Marca

STMicroelectronics
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 950V 6A
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

STH6N95K5-2.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

5V @ 100µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

H2Pak-2
Serie

MDmesh™ K5
RDS (Max) @Id, Vgs

1.25 Ohm @ 3A, 10V
La disipación de energía (máximo)

110W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Otros nombres

497-16316-2
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

42 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

450pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

13nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

950V
Descripción detallada

N-Channel 950V 6A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount H2Pak-2
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

6A (Tc)

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