STH320N4F6-6

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Especificaciones

Número de pieza

STH320N4F6-6
Fabricante / Marca

STMicroelectronics
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

STH320N4F6-6.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

H2PAK-6
Serie

DeepGATE™, STripFET™ VI
RDS (Max) @Id, Vgs

1.3 mOhm @ 80A, 10V
La disipación de energía (máximo)

300W (Tc)
embalaje

Original-Reel®
Paquete / Cubierta

TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Otros nombres

497-13838-6
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

38 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

13800pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

240nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

40V
Descripción detallada

N-Channel 40V 200A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount H2PAK-6
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

200A (Tc)

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STH400N4F6-6

Descripción: MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-6

Fabricantes: STMicroelectronics

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