STH52N10LF3-2AG

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Especificaciones

Número de pieza

STH52N10LF3-2AG
Fabricante / Marca

STMicroelectronics
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Descripción

MOSFET N-CH 100V 52A H2PAK-2
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

H2Pak-2
Serie

STripFET™ F3
RDS (Max) @Id, Vgs

20 mOhm @ 26A, 10V
La disipación de energía (máximo)

110W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

38 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1900pF @ 400V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

18.5nC @ 5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

100V
Descripción detallada

N-Channel 100V 52A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount H2Pak-2
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

52A (Tc)

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CPS19-NO00A10-SNCCWTWF-AI0BGVAR-W1039-S

Descripción: SWITCH PUSH SPST-NO 100MA 42V

Fabricantes: Schurter

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Stal***e

20/05/2025

5.0

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