STH3N150-2

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Especificaciones

Número de pieza

STH3N150-2
Fabricante / Marca

STMicroelectronics
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

STH3N150-2.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

H²PAK
Serie

PowerMESH™
RDS (Max) @Id, Vgs

9 Ohm @ 1.3A, 10V
La disipación de energía (máximo)

140W (Tc)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant
Otros nombres

497-13876-1
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

42 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

939pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

29.3nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

1500V
Descripción detallada

N-Channel 1500V 2.5A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount H²PAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

2.5A (Tc)

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STH290N4F6-6

Descripción: MOSFET N-CH 60V H2PAK-6

Fabricantes: STMicroelectronics

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