LN60A01EP-LF

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Especificaciones

Número de pieza

LN60A01EP-LF
Fabricante / Marca

Monolithic Power Systems
Cantidad de stock

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Descripción

MOSFET 3N-CH 600V 0.08A 8DIP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1.2V @ 250µA
Paquete del dispositivo

8-PDIP
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

190 Ohm @ 10mA, 10V
Potencia - Max

1.3W
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

8-DIP (0.300", 7.62mm)
Temperatura de funcionamiento

-20°C ~ 125°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

16 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

-
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

-
Tipo FET

3 N-Channel, Common Gate
Característica de FET

Standard
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

600V
Descripción detallada

Mosfet Array 3 N-Channel, Common Gate 600V 80mA 1.3W Through Hole 8-PDIP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

80mA

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Los siguientes son productos relacionados con "LN60A01EP-LF".

FMM65-015P

Descripción: MOSFET 2N-CH 150V 65A I4-PAC-5

Fabricantes: IXYS Corporation

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