MVDF1N05ER2G

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Especificaciones

Número de pieza

MVDF1N05ER2G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET 2N-CH 50V 2A 8SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

MVDF1N05ER2G.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

3V @ 250µA
Paquete del dispositivo

8-SOIC
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

300 mOhm @ 1.5A, 10V
Potencia - Max

2W
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

330pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

12.5nC @ 10V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual)
Característica de FET

Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

50V
Descripción detallada

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 50V 2A 2W Surface Mount 8-SOIC
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

2A

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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IRLHS6376TRPBF

Descripción:

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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