LN60A01ES-LF-Z

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Especificaciones

Número de pieza

LN60A01ES-LF-Z
Fabricante / Marca

Monolithic Power Systems
Cantidad de stock

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Descripción

MOSFET 3N-CH 600V 0.08A 8SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1.2V @ 250µA
Paquete del dispositivo

8-SOIC
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

190 Ohm @ 10mA, 10V
Potencia - Max

1.3W
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Temperatura de funcionamiento

-20°C ~ 125°C (TJ)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

2 (1 Year)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

12 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

-
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

-
Tipo FET

3 N-Channel, Common Gate
Característica de FET

Standard
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

600V
Descripción detallada

Mosfet Array 3 N-Channel, Common Gate 600V 80mA 1.3W 8-SOIC
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

80mA

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LN660000R

Descripción: EMITTER IR 950NM 100MA T 1 3/4

Fabricantes: Panasonic

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