RZQ045P01TR

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Especificaciones

Número de pieza

RZQ045P01TR
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
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Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 12V 4.5A TSMT6
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

RZQ045P01TR.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1V @ 1mA
Vgs (Max)

±10V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TSMT6 (SC-95)
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

35 mOhm @ 4.5A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

1.25W (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2450pF @ 6V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

31nC @ 4.5V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

12V
Descripción detallada

P-Channel 12V 4.5A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount TSMT6 (SC-95)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

4.5A (Ta)

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Los siguientes son productos relacionados con "RZQ045P01TR".

AUIRFZ48ZS

Descripción: MOSFET N-CH 55V 61A D2PAK

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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