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BSS126 E6327

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Especificaciones

Número de pieza

BSS126 E6327
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

BSS126 E6327.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1.6V @ 8µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

SOT-23-3
Serie

SIPMOS®
RDS (Max) @Id, Vgs

500 Ohm @ 16mA, 10V
La disipación de energía (máximo)

500mW (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Otros nombres

BSS126 E6327-ND
BSS126E6327
BSS126E6327XT
SP000055447
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

28pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

2.1nC @ 5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

Depletion Mode
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

0V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

600V
Descripción detallada

N-Channel 600V 21mA (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

21mA (Ta)

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BSS127H6327XTSA1

Descripción: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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