NP60N03SUG-E1-AY

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Especificaciones

Número de pieza

NP60N03SUG-E1-AY
Fabricante / Marca

Renesas Electronics Corporation
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 30V 60A TO-252
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

NP60N03SUG-E1-AY.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-252 (MP-3ZK)
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

3.8 mOhm @ 30A, 10V
La disipación de energía (máximo)

1.2W (Ta), 105W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres

NP60N03SUG-E1-AY-ND
NP60N03SUG-E1-AYTR
Temperatura de funcionamiento

175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

7500pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

135nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

N-Channel 30V 60A (Tc) 1.2W (Ta), 105W (Tc) Surface Mount TO-252 (MP-3ZK)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

60A (Tc)

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Descripción: MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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