RUF020N02TL

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Especificaciones

Número de pieza

RUF020N02TL
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 20V 2A TUMT3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.RUF020N02TL.pdf
2.RUF020N02TL.pdf
3.RUF020N02TL.pdf
4.RUF020N02TL.pdf
5.RUF020N02TL.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1V @ 1mA
Vgs (Max)

±10V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TUMT3
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

105 mOhm @ 2A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

320mW (Ta)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

3-SMD, Flat Leads
Otros nombres

RUF020N02TLCT
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

10 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

180pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

2nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

N-Channel 20V 2A (Ta) 320mW (Ta) Surface Mount TUMT3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

2A (Ta)

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Los siguientes son productos relacionados con "RUF020N02TL".

TSM018NA03CR RLG

Descripción: MOSFET N-CH 30V 185A 8PDFN

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)

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