RUF025N02FRATL

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Especificaciones

Número de pieza

RUF025N02FRATL
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

NCH 20V 2.5A MIDDLE POWER MOSFET
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.RUF025N02FRATL.pdf
2.RUF025N02FRATL.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1.3V @ 1mA
Vgs (Max)

±10V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TUMT3
Serie

Automotive, AEC-Q101
RDS (Max) @Id, Vgs

54 mOhm @ 2.5A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

800mW (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

3-SMD, Flat Leads
Otros nombres

RUF025N02FRATLTR
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

10 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

370pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

5nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

N-Channel 20V 2.5A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount TUMT3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

2.5A (Ta)

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Los siguientes son productos relacionados con "RUF025N02FRATL".

IPF09N03LA

Descripción: MOSFET N-CH 25V 50A DPAK

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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