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RDN100N20FU6

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Especificaciones

Número de pieza

RDN100N20FU6
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
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Descripción

MOSFET N-CH 200V 10A TO-220FN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

RDN100N20FU6.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 1mA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-220FN
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

360 mOhm @ 5A, 10V
La disipación de energía (máximo)

35W (Tc)
embalaje

Bulk
Paquete / Cubierta

TO-220-3 Full Pack
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

543pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

30nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

200V
Descripción detallada

N-Channel 200V 10A (Ta) 35W (Tc) Through Hole TO-220FN
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

10A (Ta)

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IXFP20N50P3M

Descripción: MOSFET N-CH 500V 8A TO-220

Fabricantes: IXYS Corporation

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