CSD13302WT

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Especificaciones

Número de pieza

CSD13302WT
Fabricante / Marca

Luminary Micro/Texas Instruments
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Descripción

MOSFET N-CH 12V 1.6A 4-DSBGA
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1.3V @ 250µA
Vgs (Max)

±10V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

4-DSBGA (1x1)
Serie

NexFET™
RDS (Max) @Id, Vgs

17.1 mOhm @ 1A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

1.8W (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

4-UFBGA, DSBGA
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

35 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

862pF @ 6V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

7.8nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

12V
Descripción detallada

N-Channel 12V 1.6A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount 4-DSBGA (1x1)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

1.6A (Ta)

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CSD13381F4

Descripción:

Fabricantes: Texas Instruments

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