RDN080N25FU6

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Especificaciones

Número de pieza

RDN080N25FU6
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 250V 8A TO220FN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

RDN080N25FU6.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 1mA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-220FN
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

500 mOhm @ 4A, 10V
La disipación de energía (máximo)

35W (Tc)
embalaje

Bulk
Paquete / Cubierta

TO-220-3 Full Pack
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

543pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

30nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

250V
Descripción detallada

N-Channel 250V 8A (Ta) 35W (Tc) Through Hole TO-220FN
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

8A (Ta)

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Los siguientes son productos relacionados con "RDN080N25FU6".

PSMN6R5-80PS,127

Descripción: MOSFET N-CH 80V TO220AB

Fabricantes: Nexperia

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