R6009KNJTL

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Especificaciones

Número de pieza

R6009KNJTL
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CHANNEL 600V 9A TO263
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.R6009KNJTL.pdf
2.R6009KNJTL.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

5V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-263
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

535 mOhm @ 2.8A, 10V
La disipación de energía (máximo)

94W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Otros nombres

R6009KNJTLTR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

17 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

540pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

16.5nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

Schottky Diode (Isolated)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

600V
Descripción detallada

N-Channel 600V 9A (Tc) 94W (Tc) Surface Mount TO-263
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

9A (Tc)

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Descripción: MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM

Fabricantes: LAPIS Semiconductor

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